电沉积纳米金修饰4-SPCE电流型VP免疫传感器的研制
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国家十一五重点支撑项目(No.2006BAD27B09)


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    为改善免疫传感器的生物相容性和反应信号强度,采用恒电位沉积法将HAuCl4直接还原成纳米金,并修饰于四通道丝网印刷碳电极(4-SPCE)表面.以质量浓度为0.05 g/L和HAuCl4和电沉积时间30 s作为电沉积纳米金修饰4-SPCE的制备条件.利用静电吸附作用将辣根过氧化物酶标记副溶血性弧菌抗体(HRP-anti-VP)固定,制备副溶血性弧菌酶免疫电极.通过循环伏安法表征免疫电极和监测酶促反应,根据免疫反应前、后还原峰电流下降的比例(DP)来实现对VP的检测.在优化的免疫反应条件及电化学检测条件下,免疫电极线性检测范围为104-109cfu/mL,其线性回归方程为:DP=7.7lgC-12.63,线性相关系数为0.9973(n=6),检测限为8.1×104 cfu/mL(S/N3).该免疫电极具有较好的特异性、重现性(RSD<6%)、稳定性(1周后电流响应为初始值的90%)和准确性(与GB/T 4789.7-2003符合率93.3%).所研制的免疫传感器用于快速筛检VP效果良好.

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引用本文

赵广英; 马超; 励建荣.电沉积纳米金修饰4-SPCE电流型VP免疫传感器的研制[J].中国食品学报,2009,(4):8-14

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